二、产品特点：

1.控制界面：采用日本三菱 PLC+7'触摸屏人机交互界面，一键启动，程序化运行，温度控制系统，抽真空系统， 充氮系统，HMDS 注液系统完美对接，亦可在操作界面单独设定操控，实现一机多用。

2.箱体：工作室采用 3mm 优质不锈钢内胆，四周圆弧角焊接，表面净化处理，密闭不漏气，内部自身不产尘，适用于半导体晶圆，光电等洁净环境。

3.外壳：采用 SS41# 中碳钢板经磷酸皮膜盐处理后两层防光面涂装烤漆，可防止微尘。

4.密封：门封采用四氟乙烯双层密封一体成型耐高温胶条，密封性好，柔软洁净无污染。

5.温度控制系统

5.1 温控器 采用日本 FUJI 数字型智能温度控制器，控制精度±0.1℃，PID 自动演算，自动恒温，带温度传感器断线报警，超温断加热，过冲抑制，抗干扰，AT 自整定，温度偏差修正功能，带 8 段斜率升温功能。

5.2 温度传感器 采用日制 PT100 铂金电阻，不锈钢铠装覆套，精度±0.5%，反应灵敏，抗干扰，耐高温

6.真空度控制系统

6.1 真空计采用三菱 PLC 压力控制模块搭配真空压力变送器，压力精度 1pa 。

6.2 真空泵采用上海产优质双旋片油泵，真空极限 10-3pa,亦可根据客户需要配置德国进口真空泵。

7.充氮系统

采用惰性气体进气阀，不锈钢无缝焊接管路，搭配日本进口电磁阀，截止阀，耐压，无泄漏。台制氮气流量计，压力调节阀，可充入氮气，氩气等多种惰性气体，氮气流量，充入时间可控制。

8.HMDS注液系统

防爆型HMDS制剂瓶，配置不锈钢药液管道，电磁回流阀，真空状态打开阀门自动注液，安全密封无泄漏。

9.安全保护系统

配置机台异常工作状态指示报警，安全断路器，过压过载保护，控制线路保险管，超温保护，压力过载保护，安全急停开关、工作状态三色指示灯。所用电器器件及气动元件均采用国内外一流大厂正品，确保安全可靠。

三、HMDS（六甲基二硅氮烷）工艺：

3.1.HMDS与氧化物表面发生反应，形成如图1所示的强键，但同时留下自由键与光致抗蚀剂反应并改善粘附性。

              图1：用HMDS处理的氧化硅表面的行为。 

具有脱水烘烤的HMDS的蒸汽引发（是过程）：当晶片表面变得更加疏水时，HMDS将捆绑水合晶片表面的分子水并增加液体接触角。还需要初始高温烘烤和脱水过程以使基材均匀且稳定地蒸汽引发。在HMDS应用之前需要这种完全的脱水过程以产生稳定的表面，如图2所示。

          图2：在HMDS工艺之前有和没有脱水的HMDS涂覆表面的行为。

3.2. HMDS主要表现比较研究

在极小亚微米范围内，关键特征尺寸的减小越来越少，在制造过程中需要优异的光刻工艺。光致抗蚀剂的粘附性总是非常重要，因为它直接影响蚀刻图像的临界尺寸的控制。因此，HMDS过程也已在各种涂布机轨道中实施，并取得了不同程度的成功。

3.3.工艺流程

烘箱HMDS作用过程及机理
首先设定烘箱工作温度。典型的预处理程序为∶打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到5000Pa后，开始充入氮气，充到90000Pa后，再次进行抽真空、充入氮气如此往复吹扫净化腔室，到达设定的吹扫次数后，再次开始抽真空到2000Pa，充入通过氮气鼓出的HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS 药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS 反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气如此往复吹扫清除HMDS残余，到达设定的吹扫次数后，完成整个作业过程。

3.4.水滴角和工艺参数

HMDS可以增加光刻胶之间的黏附性，但过大的接触角会导致光刻胶用量增大，适当的降低接触角，可以有效的减少光刻胶用量，节约成本，下表是典型的处理工艺与水滴角之间的关系：

技术参数一览表：

 备注：  1. 以上所有机型外观尺寸仅供参考，实际尺寸以实物为准；   2. 产品内部尺寸可根据客户要求进行非标定制。